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间需要延缓…”
李飞乐呵一笑,在本人面前谈论芯片制造工艺,你还嫩了一点,重生前,本人在英特尔是副总裁,负责英特尔的芯片设计和芯片制造,
同时,李飞从内心上,认为不必和这人一般见识,不必再继续说下去…,
但为了FM芯片早点量产,早点让FM芯片进入市场变现,李飞不得不展示芯片研发实力,给一点颜色看看,让对方知道什么是研发技术大神。但没有必要再客气了,就命令道:“你不要打断我说话!如我说得没有错的话,CMOS工艺流程大概是这样的:
先是准备n型硅片,用以制造NMOS和PMOS晶体管。(注:CMOS工艺是在PMOS和NMOS工艺基础上发展起来的)
再使用湿氧化方法,在硅片上生长设定厚度(如约0.6微米)的二氧化硅层,作为制造p型区的掩蔽层。随后光刻p型区。
接着,光刻出NMOS晶体管的p阱区和PMOS晶体管的源、漏区后,使用氮化硼片作掺杂源进行硼预淀积。
在淀积硼以后,进行杂质推进扩散,形成NMOS晶体管的p阱,在推进扩散的同时,也进行干氧化,接着进行湿氧化预定时间(如20分钟),该二氧化硅层作为光刻n型区的掩蔽层。
如光刻出n型掺杂区,然后进行磷掺杂扩散,形成NMOS晶体管的源、漏区;
在磷扩散以后,进行湿氧化预定时间(如20分钟),该二氧化硅层用以制造NMOS和PMOS栅氧化区的的掩蔽层;
光刻出NMOS和PMOS晶体管的栅区,然后使用干氧化方法,生成设定厚度的栅二氧化硅层(如500纳米制程),”